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Référence Digi-Key 568-11264-1-ND
Quantité disponible 4 752
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

PEMD9,115

Description TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Description étendue Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 13 semaines
Documents et supports
Fiches techniques PEMD9,PUMD9
Conditionnement PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
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종류
Fabricant

NXP USA Inc.

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Prépolarisé (double)
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V
Résistance - base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - base émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 100 à 5mA, 5V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 100mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 1µA
Fréquence - Transition -
Puissance max. 300mW
Type de montage Montage en surface
Boîtier SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur SOT-666
 
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  • 917-1019-1-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms 568-11264-1

05:26:52 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,36000 0,36
10 0,29800 2,98
100 0,15840 15,84
500 0,10416 52,08
1 000 0,07083 70,83

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