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Référence Digi-Key APTM10UM01FAG-ND
Quantité disponible 50
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APTM10UM01FAG

Description MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Description étendue N-Channel 100V 860A 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APTM10UM01FAG
Power Products Catalog
Page de catalogue 1551 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 860 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 12 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2100 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 60000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2500 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,6 mOhms à 275 A, 10 V
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SP6
Boîtier SP6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND

11:04:23 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 177,02000 177,02
10 168,47300 1 684,73
25 162,36920 4 059,23

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