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Référence Digi-Key APTM10UM01FAG-ND
Quantité disponible 50
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APTM10UM01FAG

Description MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Description étendue N-Channel 100V 860A 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APTM10UM01FAG
Power Products Catalog
Page de catalogue 1551 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 860 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 12mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2100nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 60000pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2500 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,6 mOhms à 275A, 10V
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SP6
Boîtier SP6
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND

18:32:18 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 181,99000 181,99
10 173,20100 1 732,01
25 166,92560 4 173,14

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