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Référence Digi-Key APTM100A13SG-ND
Quantité disponible 46
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APTM100A13SG

Description MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Description étendue Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APTM100A13SG
Power Products Catalog
Page de catalogue 1551 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET 2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65 A
Rds passant (max.) à Id, Vgs 156 mOhms à 32,5 A, 10 V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 6 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 562 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15200 pF à 25 V
Puissance max. 1250 W
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier SP6
Boîtier fournisseur SP6
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APTM100A13SGMI
APTM100A13SGMI-ND

01:27:27 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 180,36000 180,36
10 171,65700 1 716,57
25 165,43800 4 135,95

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