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Présentation des produits
Référence Digi-Key APTGFQ25H120T2G-ND
Quantité disponible 159
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APTGFQ25H120T2G

Description IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Description étendue IGBT Module NPT and Fieldstop Full Bridge 1200V 40A 227W Through Hole SP2
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques Power Products Catalog
APTGFQ25H120T2G
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Statut de la pièce Pas pour les nouvelles conceptions
Type IGBT NPT et fieldstop
Configuration Pont complet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 40 A
Puissance max. 227 W
Vce(on) (max) à Vge, Ic 2,1V à 15V, 25A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 250 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce 2,02 nF à 25 V
Entrée Standard
Thermistance NTC Oui
Température d’utilisation -
Type de montage Trou traversant
Boîtier SP2
Boîtier fournisseur SP2
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

18:27:19 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 56,49000 56,49
10 53,16900 531,69
25 49,84680 1 246,17
100 47,52030 4 752,03

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