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Référence Digi-Key APT94N65B2C6-ND
Quantité disponible 358
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT94N65B2C6

Description MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Description étendue N-Channel 650V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT94N65(B2,L)C6
APT94N65B2C6/65LC6
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 95 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 3,5 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 320 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8140 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET Super Junction
Dissipation de puissance (max) 833 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 35 mOhms à 35,2 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur T-MAX™ [B2]
Boîtier TO-247-3 variable
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

12:06:29 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 20,34000 20,34
10 18,82100 188,21
25 17,29440 432,36
100 16,07370 1 607,37
250 14,75112 3 687,78

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