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Présentation des produits
Référence Digi-Key APT75GP120JDQ3-ND
Quantité disponible 785
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT75GP120JDQ3

Description IGBT 1200V 128A 543W SOT227
Description étendue IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP®
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT75GP120JDQ3
Power Products Catalog
Page de catalogue 1549 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 7®
Statut de la pièce Actif
Type IGBT PT
Configuration Simple
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 128 A
Puissance max. 543 W
Vce(on) (max) à Vge, Ic 3,9 V à 15 V, 75 A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 1,25 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce 7,04nF à 25V
Entrée Standard
Thermistance NTC Non
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier ISOTOP
Boîtier fournisseur ISOTOP®
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT75GP120JDQ3MI
APT75GP120JDQ3MI-ND

05:22:25 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 41,72000 41,72
10 39,01000 390,10
25 36,07800 901,95
100 33,82330 3 382,33
250 31,56840 7 892,10

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