Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key APT75GP120B2G-ND
Quantité disponible 400
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT75GP120B2G

Description IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT75GP120B2
Power Products Catalog
Page de catalogue 1549 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - IGBT - Simples

Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 7®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type IGBT PT
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 300A
Vce(on) (max) à Vge, Ic 3,9V à 15V, 75A
Puissance max. 1042W
Énergie de commutation 1620µJ (Marche), 2500µJ (arrêt)
Type d’entrée Standard
Charge de grille 320nC
Td (on/off) à 25°C 20ns/163ns
Condition de test 600V, 75A, 5 Ohms, 15V
Temps de recouvrement inverse (trr) -
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3 variable
Boîtier fournisseur *
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND

10:51:51 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 24,39000 24,39
10 22,55600 225,56
25 20,72720 518,18
100 19,26390 1 926,39
250 17,67896 4 419,74
500 16,82550 8 412,75

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires