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Référence Digi-Key APT75GP120B2G-ND
Quantité disponible 1
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT75GP120B2G

Description IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Description étendue IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT75GP120B2
Power Products Catalog
Page de catalogue 1549 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 7®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type IGBT PT
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 300 A
Vce(on) (max) à Vge, Ic 3,9 V à 15 V, 75 A
Puissance max. 1042 W
Énergie de commutation 1620µJ (Marche), 2500µJ (arrêt)
Type d’entrée Standard
Charge de grille 320nC
Td (on/off) à 25°C 20ns/163ns
Condition de test 600 V, 75 A, 5 Ohms, 15 V
Temps de recouvrement inverse (trr) -
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3 variable
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND

03:57:56 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 24,14000 24,14
10 22,32900 223,29
25 20,51840 512,96
100 19,06990 1 906,99
250 17,50088 4 375,22
500 16,65602 8 328,01

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