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Présentation des produits
Référence Digi-Key APT65GP60B2G-ND
Quantité disponible 119
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT65GP60B2G

Description IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques APT65GP60B2
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - IGBT - Simples

Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 7®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Pas pour les nouvelles conceptions
Type IGBT PT
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 250A
Vce(on) (max) à Vge, Ic 2,7V à 15V, 65A
Puissance max. 833W
Énergie de commutation 605µJ (Marche), 896µJ (arrêt)
Type d’entrée Standard
Charge de grille 210nC
Td (on/off) à 25°C 30ns/91ns
Condition de test 400V, 65A, 5 Ohms, 15V
Temps de recouvrement inverse (trr) -
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3 variable
Boîtier fournisseur *
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

15:03:51 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 19,22000 19,22
10 17,46900 174,69
50 16,15900 807,95
100 14,84880 1 484,88
250 13,53864 3 384,66
500 12,66520 6 332,60
1 000 11,61704 11 617,04
2 500 11,18031 27 950,77
5 000 10,83092 54 154,61

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