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Présentation des produits
Référence Digi-Key APT65GP60B2G-ND
Quantité disponible 119
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT65GP60B2G

Description IGBT 600V 100A 833W TMAX
Description étendue IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques APT65GP60B2
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 7®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Pas pour les nouvelles conceptions
Type IGBT PT
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 600 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 250 A
Vce(on) (max) à Vge, Ic 2,7 V à 15 V, 65 A
Puissance max. 833 W
Énergie de commutation 605 µJ (Marche), 896 µJ (arrêt)
Type d’entrée Standard
Charge de grille 210nC
Td (on/off) à 25°C 30 ns/91 ns
Condition de test 400 V, 65 A, 5 Ohms, 15 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3 variable
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

02:24:29 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 19,05000 19,05
10 17,31500 173,15
25 16,01600 400,40
100 14,71730 1 471,73
250 13,41872 3 354,68
500 12,55300 6 276,50

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