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Présentation des produits
Référence Digi-Key APT60GF120JRDQ3-ND
Quantité disponible 31
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT60GF120JRDQ3

Description IGBT 1200V 149A 625W SOT227
Description étendue IGBT Module NPT Single 1200V 149A 625W Chassis Mount ISOTOP®
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT60GF120JRDQ3
Power Products Catalog
Page de catalogue 1549 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Statut de la pièce Actif
Type IGBT NPT
Configuration Simple
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 149 A
Puissance max. 625 W
Vce(on) (max) à Vge, Ic 3 V à 15 V, 100 A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 350 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce 7,08nF à 25V
Entrée Standard
Thermistance NTC Non
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier ISOTOP
Boîtier fournisseur ISOTOP®
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT60GF120JRDQ3MI
APT60GF120JRDQ3MI-ND

21:34:43 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 77,63000 77,63
10 72,78100 727,81
25 69,38440 1 734,61
100 65,50270 6 550,27

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