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Présentation des produits
Référence Digi-Key APT60GF120JRDQ3-ND
Quantité disponible 31
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT60GF120JRDQ3

Description IGBT 1200V 149A 625W SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT60GF120JRDQ3
Power Products Catalog
Page de catalogue 1549 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - IGBT - Modules

Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Statut de la pièce Actif
Type IGBT NPT
Configuration Simple
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 149A
Puissance max. 625W
Vce(on) (max) à Vge, Ic 3V à 15V, 100A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 350µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce 7,08nF à 25V
Entrée Standard
Thermistance NTC Non
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier ISOTOP
Boîtier fournisseur ISOTOP®
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT60GF120JRDQ3MI
APT60GF120JRDQ3MI-ND

10:01:16 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 77,56000 77,56
10 72,71100 727,11
50 69,31820 3 465,91
100 65,44030 6 544,03
250 63,01660 15 754,15
500 62,04712 31 023,56
1 000 59,13865 59 138,65
2 500 58,16916 145 422,91

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