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Référence Digi-Key APT29F100B2-ND
Quantité disponible 28
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT29F100B2

Description MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT29F100(B2,L)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 8™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 2,5 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 260 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8500 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1040 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 440 mOhms à 16 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur T-MAX™ [B2]
Boîtier TO-247-3 variable
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

01:44:11 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 18,63000 18,63
10 16,93600 169,36
25 15,66520 391,63
100 14,39490 1 439,49
250 13,12472 3 281,18
500 12,27798 6 138,99

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