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Présentation des produits
Référence Digi-Key APT29F100B2-ND
Quantité disponible 40
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT29F100B2

Description MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT29F100(B2,L)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 8™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 440 mOhms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 2,5mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 260nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 8500pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3 variable
Boîtier fournisseur T-MAX™ [B2]
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1

09:17:41 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 18,81000 18,81
10 17,10800 171,08
25 15,82440 395,61
100 14,54140 1 454,14
250 13,25828 3 314,57
500 12,40292 6 201,46

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