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Référence Digi-Key APT28M120B2-ND
Quantité disponible 353
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT28M120B2

Description MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT28M120(B2,L)
Power Products Catalog
Page de catalogue 1550 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 8™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 2,5 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9670 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1135 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 560 mOhms à 14 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur T-MAX™ [B2]
Boîtier TO-247-3 variable
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT28M120B2MI
APT28M120B2MI-ND

00:42:56 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 21,17000 21,17
10 19,59000 195,90
25 18,00160 450,04
100 16,73090 1 673,09
250 15,35428 3 838,57
500 14,61306 7 306,53

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