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Présentation des produits
Référence Digi-Key APT25GP120BDQ1G-ND
Quantité disponible 393
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

APT25GP120BDQ1G

Description IGBT 1200V 69A 417W TO247
Description étendue IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT25GP120BDQ1(G)
Power Products Catalog
Page de catalogue 1549 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série POWER MOS 7®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type IGBT PT
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 69 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 90 A
Vce(on) (max) à Vge, Ic 3,9 V à 15 V, 25 A
Puissance max. 417 W
Énergie de commutation 500 µJ (on), 440 µJ (arrêt)
Type d’entrée Standard
Charge de grille 110 nC
Td (on/off) à 25°C 12 ns/70 ns
Condition de test 600 V, 25 A, 5 Ohms, 15 V
Temps de recouvrement inverse (trr) -
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247 [B]
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND

08:49:04 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,19000 12,19
10 11,07900 110,79
25 10,24800 256,20
100 9,41720 941,72
250 8,58620 2 146,55
500 8,03226 4 016,13
1 000 7,36751 7 367,51

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