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Référence Digi-Key APT22F80B-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

APT22F80B

Description MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
Description étendue N-Channel 800V 23A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques APT22F80(B,S)
Power Products Catalog
Page de catalogue 1550 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Microsemi Corporation

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4595pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 625 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 500 mOhms à 12A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 [B]
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND

10:39:35 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 11,05000 11,05
10 9,94600 99,46
25 9,06200 226,55
100 8,17790 817,79
250 7,51476 1 878,69
500 6,85170 3 425,85
1 000 5,96761 5 967,61

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