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Référence Digi-Key VP2206N3-G-ND
Quantité disponible 1 904
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

VP2206N3-G

Description MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Description étendue P-Channel 60V 640mA (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
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Catégories
Fabricant

Microchip Technology

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 640 mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 10 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 450 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 740 mW (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 900 mOhms à 3,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92-3
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000

19:44:22 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,85000 1,85
25 1,53640 38,41
100 1,40010 140,01

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : VP2206N3-G-P003-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 000  Non stocké ?
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 1,45848
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