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Référence Digi-Key VP2206N2-ND
Quantité disponible 247
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

VP2206N2

Description MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
Description étendue P-Channel 60V 750mA (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
Statut sans plomb / Statut RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
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Catégories
Fabricant

Microchip Technology

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 750mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 10mA
Charge de porte (Qg) à Vgs -
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 450pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 360mW (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 900 mOhms à 3,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-39
Boîtier TO-205AD, TO-39-3 boîtier métallique
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500

13:33:09 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,96000 12,96
25 11,87880 296,97
100 10,75590 1 075,59

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