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Référence Digi-Key DN2530N3-G-ND
Quantité disponible 6 427
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

DN2530N3-G

Description MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3
Description étendue N-Channel 300V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 5 semaines
Documents et supports
Fiches techniques DN2530
Ressources de conception DN2530 Development Tool Selector
Conception/spécification PCN New DeviceDoc 26/Feb/2016
Assemblage/origine PCN Fab Site Addition 14/Aug/2014
Fab Site Revision 07/Apr/2015
Assembly Site Add 8/Jun/2016
Supertex 03/Aug/2016
Conditionnement PCN Label and Packing Changes 23/Sep/2015
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Catégories
Fabricant

Microchip Technology

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 175 mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 300 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) 740 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12 Ohms à 150 mA, 0 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-92 (TO-226)
Boîtier TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000

06:03:10 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,57000 0,57
25 0,47120 11,78
100 0,43270 43,27

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