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Référence Digi-Key VMO580-02F-ND
Quantité disponible 63
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

VMO580-02F

Description MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Documents et supports
Fiches techniques VMO580-02F
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 580A
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,8 mOhms à 430A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 50mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 2750nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds -
Puissance max. -
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier Y3-Li
Boîtier fournisseur Y3-Li
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2
Autres Noms Q1221985A
VMO58002F

12:30:50 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 125,52000 125,52
10 117,31800 1 173,18
25 113,21560 2 830,39

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