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Référence Digi-Key VMO580-02F-ND
Quantité disponible 63
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

VMO580-02F

Description MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Description étendue N-Channel 200V 580A Chassis Mount Y3-Li
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Documents et supports
Fiches techniques VMO580-02F
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 580A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 50mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 2750nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds -
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) -
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,8 mOhms à 430A, 10V
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur Y3-Li
Boîtier Y3-Li
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2
Autres Noms Q1221985A
VMO58002F

17:34:30 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 127,74000 127,74
10 119,39500 1 193,95
25 115,22040 2 880,51

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