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Référence Digi-Key IXXN110N65B4H1-ND
Quantité disponible 180
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXXN110N65B4H1

Description IGBT 650V 215A 750W SOT227B
Description étendue IGBT Module PT Single 650V 215A 750W Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXXN110N65B4H1
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série GenX4™, XPT™
Statut de la pièce Actif
Type IGBT PT
Configuration Simple
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 650 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 215 A
Puissance max. 750 W
Vce(on) (max) à Vge, Ic 2,1 V à 15 V, 110 A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 50 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce 3,65nF à 25V
Entrée Standard
Thermistance NTC Non
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
Boîtier fournisseur SOT-227B
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

00:54:54 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 22,56000 22,56
10 20,86800 208,68
25 19,17560 479,39
100 17,82220 1 782,22
250 16,35580 4 088,95
500 15,56620 7 783,10

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