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Référence Digi-Key IXXN110N65B4H1-ND
Quantité disponible 219
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXXN110N65B4H1

Description IGBT 650V 215A 750W SOT227B
Description étendue IGBT Module PT Single 650V 215A 750W Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXXN110N65B4H1
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série GenX4™, XPT™
Statut de la pièce Actif
Type IGBT PT
Configuration Simple
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 650 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 215A
Puissance max. 750 W
Vce(on) (max) à Vge, Ic 2,1V à 15V, 110A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 50µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce 3,65nF à 25V
Entrée Standard
Thermistance NTC Non
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
Boîtier fournisseur SOT-227B
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

06:10:27 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 21,85000 21,85
10 20,20700 202,07
25 18,56840 464,21
100 17,25760 1 725,76
250 15,83764 3 959,41
500 15,07308 7 536,54

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