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Référence Digi-Key IXTY01N100D-ND
Quantité disponible 1 486
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTY01N100D

Description MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(P,U,Y)01N100D
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de porte (Qg) à Vgs -
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 120pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) 1,1W (Ta), 25W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 110 Ohms à 50mA, 0V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-252, (D-Pak)
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches+languette), SC-63
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 70

02:20:24 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,38000 2,38
10 2,15000 21,50
25 1,91960 47,99
100 1,72760 172,76
250 1,53568 383,92
500 1,34372 671,86
1 000 1,11337 1 113,37
2 500 1,03658 2 591,46
5 000 0,99819 4 990,96

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