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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXTT2N170D2-ND
Quantité disponible 325
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTT2N170D2

Description MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(T,H)2N170D2
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 1700V (1,7kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6,5 Ohms à 1A, 0V
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de porte (Qg) à Vgs 110nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3650pF à 25V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-268-3, D³Pak (2 broches+languette), TO-268AA
Boîtier fournisseur TO-268
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

08:51:16 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 17,98000 17,98
10 16,35300 163,53
25 15,12680 378,17
100 13,90040 1 390,04
250 12,67388 3 168,47
500 11,85618 5 928,09

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