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Référence Digi-Key IXTT2N170D2-ND
Quantité disponible 165
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTT2N170D2

Description MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Description étendue N-Channel 1700V (1.7kV) 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(T,H)2N170D2
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1700V (1,7kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3650pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) 568 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6,5 Ohms à 1A, 0V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-268
Boîtier TO-268-3, D³Pak (2 broches+languette), TO-268AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

12:10:16 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 18,30000 18,30
10 16,64300 166,43
25 15,39480 384,87
100 14,14650 1 414,65
250 12,89828 3 224,57
500 12,06612 6 033,06

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