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Référence Digi-Key IXTQ52P10P-ND
Quantité disponible 2 688
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTQ52P10P

Description MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P
Description étendue P-Channel 100V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,H,P,Q)52P10P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série PolarP™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 52 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2845 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 50 mOhms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

16:05:12 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,30000 5,30
10 4,73800 47,38
25 4,26440 106,61
100 3,88520 388,52
250 3,50616 876,54
500 3,14604 1 573,02
1 000 2,65329 2 653,29
2 500 2,52063 6 301,57

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