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Référence Digi-Key IXTQ180N10T-ND
Quantité disponible 119
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTQ180N10T

Description MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
Description étendue N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(H,Q)180N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 151 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6900 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 480 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6,4 mOhms à 25 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

20:56:40 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,30000 4,30
10 3,84100 38,41
25 3,45680 86,42
100 3,14960 314,96
250 2,84228 710,57
500 2,55036 1 275,18
1 000 2,15090 2 150,90

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