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Référence Digi-Key IXTQ130N10T-ND
Quantité disponible 271
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTQ130N10T

Description MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
Description étendue N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(H,Q)130N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 130 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 104nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5080pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 360 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 9,1 mOhms à 25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

03:28:32 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,90000 2,90
10 2,59100 25,91
25 2,33240 58,31
100 2,12500 212,50
250 1,91768 479,42
500 1,72072 860,36
1 000 1,45122 1 451,22
2 500 1,37866 3 446,64
5 000 1,32683 6 634,14

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