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Référence Digi-Key IXTQ130N10T-ND
Quantité disponible 221
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTQ130N10T

Description MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
Description étendue N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(H,Q)130N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 130 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 104 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5080 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 360 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 9,1 mOhms à 25 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

00:16:08 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,82000 2,82
10 2,52100 25,21
25 2,26880 56,72
100 2,06700 206,70
250 1,86532 466,33
500 1,67376 836,88
1 000 1,41160 1 411,60
2 500 1,34102 3 352,56
5 000 1,29061 6 453,04

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