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Référence Digi-Key IXTP80N10T-ND
Quantité disponible 778
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP80N10T

Description MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)80N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 100 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3040 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 230 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 14 mOhms à 25 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

14:48:49 3/1/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,43000 2,43
10 2,19400 21,94
25 1,95880 48,97
100 1,76290 176,29
250 1,56704 391,76
500 1,37116 685,58
1 000 1,13610 1 136,10
2 500 1,05775 2 644,38
5 000 1,01858 5 092,88

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