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Référence Digi-Key IXTP6N50D2-ND
Quantité disponible 356
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP6N50D2

Description MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Description étendue N-Channel 500V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P,H)6N50D2
Produit représenté Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 500 mOhms à 3 A, 0 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

21:02:14 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,94000 5,94
10 5,30300 53,03
25 4,77240 119,31
100 4,34840 434,84
250 3,92416 981,04
500 3,52114 1 760,57
1 000 2,96964 2 969,64

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