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Référence Digi-Key IXTP60N10T-ND
Quantité disponible 1 492
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP60N10T

Description MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 60A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)60N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 50 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2650 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 176 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 18 mOhms à 25 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

16:27:05 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,76000 1,76
10 1,59500 15,95
25 1,42400 35,60
100 1,28140 128,14
250 1,13900 284,75
500 0,99662 498,31
1 000 0,82577 825,77
2 500 0,76882 1 922,05
5 000 0,74034 3 701,72

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