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Référence Digi-Key IXTP3N120-ND
Quantité disponible 418
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP3N120

Description MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 4 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)3N120
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 Ohms à 500mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

22:29:07 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,10000 6,10
10 5,44700 54,47
25 4,90240 122,56
100 4,46640 446,64
250 4,03068 1 007,67
500 3,61672 1 808,36
1 000 3,05024 3 050,24
2 500 2,89773 7 244,33

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