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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXTP3N120-ND
Quantité disponible 431
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP3N120

Description MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 4 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)3N120
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 Ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 42nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1350pF à 25V
Puissance max. 200W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

22:45:23 12/2/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,00000 6,00
10 5,35200 53,52
25 4,81680 120,42
100 4,38870 438,87
250 3,96056 990,14
500 3,55378 1 776,89
1 000 2,99717 2 997,17
2 500 2,84731 7 118,28

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