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Référence Digi-Key IXTP18P10T-ND
Quantité disponible 1 065
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP18P10T

Description MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
Description étendue P-Channel 100V 18A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(Y,A,P)18P10T
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Categories
Fabricant

IXYS

Série TrenchP™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 39nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2100pF à 25V
Vgs (Max) ±15V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 120 mOhms à 9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

09:12:13 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,79000 1,79
10 1,61200 16,12
25 1,43960 35,99
100 1,29570 129,57
250 1,15176 287,94
500 1,00780 503,90
1 000 0,83503 835,03
2 500 0,77744 1 943,60
5 000 0,74864 3 743,22

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