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Référence Digi-Key IXTP18P10T-ND
Quantité disponible 555
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP18P10T

Description MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
Description étendue P-Channel 100V 18A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(Y,A,P)18P10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchP™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2100 pF à 25 V
Vgs (max.) ±15 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 83 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 120 mOhms à 9 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

17:44:17 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,84000 1,84
10 1,66500 16,65
25 1,48680 37,17
100 1,33810 133,81
250 1,18944 297,36
500 1,04076 520,38
1 000 0,86234 862,34
2 500 0,80287 2 007,18
5 000 0,77314 3 865,68

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