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Référence Digi-Key IXTP180N10T-ND
Quantité disponible 824
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP180N10T

Description MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)180N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 151 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6900 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 480 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6,4 mOhms à 25 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

05:50:30 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,59000 3,59
10 3,19800 31,98
25 2,87760 71,94
100 2,62200 262,20
250 2,36624 591,56
500 2,12320 1 061,60
1 000 1,79064 1 790,64
2 500 1,70111 4 252,78
5 000 1,63716 8 185,80

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