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Référence Digi-Key IXTP180N10T-ND
Quantité disponible 824
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP180N10T

Description MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)180N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 151nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6900pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6,4 mOhms à 25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

21:52:20 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,69000 3,69
10 3,28700 32,87
25 2,95840 73,96
100 2,69560 269,56
250 2,43264 608,16
500 2,18278 1 091,39
1 000 1,84090 1 840,90
2 500 1,74885 4 372,13
5 000 1,68311 8 415,53

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