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Référence Digi-Key IXTP160N10T-ND
Quantité disponible 300
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP160N10T

Description MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 160A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)160N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 132 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6600 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 430 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7 mOhms à 25 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

20:26:50 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,39000 3,39
10 3,02400 30,24
25 2,72080 68,02
100 2,47900 247,90
250 2,23712 559,28
500 2,00738 1 003,69
1 000 1,69297 1 692,97
2 500 1,60832 4 020,81

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