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Référence Digi-Key IXTP160N10T-ND
Quantité disponible 200
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP160N10T

Description MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 160A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)160N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 132nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6600pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 430 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7 mOhms à 25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

13:52:41 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,28000 3,28
10 2,92700 29,27
25 2,63480 65,87
100 2,40050 240,05
250 2,16628 541,57
500 1,94378 971,89
1 000 1,63934 1 639,34
2 500 1,55737 3 893,43
5 000 1,49882 7 494,12

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