Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IXTP160N10T-ND
Quantité disponible 200
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTP160N10T

Description MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 160A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)160N10T
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 132 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6600 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 430 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7 mOhms à 25 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

15:51:15 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,19000 3,19
10 2,84700 28,47
25 2,56280 64,07
100 2,33490 233,49
250 2,10712 526,78
500 1,89072 945,36
1 000 1,59459 1 594,59
2 500 1,51486 3 787,15
5 000 1,45791 7 289,55

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires