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Référence Digi-Key IXTN200N10L2-ND
Quantité disponible 13
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTN200N10L2

Description MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
Description étendue N-Channel 100V 178A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXTN200N10L2
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série Linear L2™
Conditionnement ? -
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 178A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 3mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 540nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 23000pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 830W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11 mOhms à 100A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10
Autres Noms 624413
Q5211084

02:06:35 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 35,90000 35,90
10 33,20400 332,04
25 30,51200 762,80
100 28,35830 2 835,83
250 26,02496 6 506,24

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