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Référence Digi-Key IXTN200N10L2-ND
Quantité disponible 379
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTN200N10L2

Description MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
Description étendue N-Channel 100V 178A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXTN200N10L2
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série Linear L2™
Conditionnement ? -
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 178 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 3 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 540 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 23000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 830 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11 mOhms à 100 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10
Autres Noms 624413
Q5211084

09:39:33 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 37,07000 37,07
10 34,29100 342,91
25 31,51040 787,76
100 29,28600 2 928,60
250 26,87640 6 719,10

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