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Référence Digi-Key IXTH8P50-ND
Quantité disponible 165
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTH8P50

Description MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
Description étendue P-Channel 500V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(H,T)8P50
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3400 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 180 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH)
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

13:45:42 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,00000 6,00
10 5,39900 53,99
25 4,91840 122,96
100 4,43880 443,88
250 4,07888 1 019,72
500 3,71900 1 859,50
1 000 3,23913 3 239,13
2 500 3,11916 7 797,89

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