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Référence Digi-Key IXTH6N100D2-ND
Quantité disponible 585
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTH6N100D2

Description MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P,H)6N100D2
Produit représenté Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 95nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2650pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,2 Ohms à 3A, 0V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH)
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

18:36:55 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,05000 6,05
10 5,44200 54,42
25 4,95840 123,96
100 4,47460 447,46
250 4,11180 1 027,95
500 3,74898 1 874,49
1 000 3,26524 3 265,24
2 500 3,14430 7 860,76

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