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Référence Digi-Key IXTH6N100D2-ND
Quantité disponible 321
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTH6N100D2

Description MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P,H)6N100D2
Produit représenté Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 95 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2650 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,2 Ohms à 3 A, 0 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH)
Boîtier TO-247-3
 
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  • Prix unitaire 6,25000
  • IXTH6N50D2-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

10:06:40 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,25000 6,25
10 5,62100 56,21
25 5,12080 128,02
100 4,62100 462,10
250 4,24632 1 061,58
500 3,87162 1 935,81
1 000 3,37206 3 372,06

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