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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXTH200N10T-ND
Quantité disponible 223
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTH200N10T

Description MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(H,Q)200N10T
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,5 mOhms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 152nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 9400pF à 25V
Puissance max. 550W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

13:50:01 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,47000 5,47
10 4,88100 48,81
25 4,39240 109,81
100 4,00200 400,20
250 3,61164 902,91
500 3,24068 1 620,34
1 000 2,73310 2 733,10
2 500 2,59645 6 491,12

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