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Référence Digi-Key IXTH200N10T-ND
Quantité disponible 2 108
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTH200N10T

Description MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Description étendue N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(H,Q)200N10T
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série TrenchMV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 152 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9400 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 550 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,5 mOhms à 50 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH)
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

07:15:46 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,41000 5,41
10 4,83100 48,31
25 4,34840 108,71
100 3,96170 396,17
250 3,57524 893,81
500 3,20804 1 604,02
1 000 2,70557 2 705,57
2 500 2,57030 6 425,74

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