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Référence Digi-Key IXTH13N110-ND
Quantité disponible 269
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTH13N110

Description MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
Description étendue N-Channel 1100V (1.1kV) 13A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXTH13N110
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série MegaMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1100V (1,1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 195 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5650 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 360 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 920 mOhms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH)
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

21:51:52 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 17,19000 17,19
10 15,62800 156,28
25 14,45640 361,41
100 13,28420 1 328,42
250 12,11208 3 028,02
500 11,33064 5 665,32

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