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Référence Digi-Key IXTH110N25T-ND
Quantité disponible 120
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTH110N25T

Description MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
Description étendue N-Channel 250V 110A (Tc) 694W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IXT(H,V)110N25T(S)
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 157 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9400 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 694 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 24 mOhms à 55 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH)
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

18:07:51 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,79000 6,79
10 6,11100 61,11
25 5,56760 139,19
100 5,02440 502,44
250 4,61704 1 154,26
500 4,20964 2 104,82
1 000 3,66645 3 666,45

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