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Référence Digi-Key IXTH110N25T-ND
Quantité disponible 139
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTH110N25T

Description MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
Description étendue N-Channel 250V 110A (Tc) 694W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IXT(H,V)110N25T(S)
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 157nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9400pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 694 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 24 mOhms à 55A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH)
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

14:19:51 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,57000 6,57
10 5,91700 59,17
25 5,39120 134,78
100 4,86520 486,52
250 4,47076 1 117,69
500 4,07628 2 038,14
1 000 3,55030 3 550,30
2 500 3,41881 8 547,02

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