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Référence Digi-Key IXTA6N50D2-ND
Quantité disponible 1 149
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTA6N50D2

Description MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P,H)6N50D2
Produit représenté Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 500 mOhms à 3A, 0V
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de porte (Qg) à Vgs 96nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2800pF à 25V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur TO-263 (IXTA)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

10:01:09 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,75000 5,75
10 5,14000 51,40
25 4,62600 115,65
100 4,21470 421,47
250 3,80352 950,88
500 3,41290 1 706,45
1 000 2,87834 2 878,34
2 500 2,73442 6 836,06

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