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Référence Digi-Key IXTA3N50D2-ND
Quantité disponible 355
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTA3N50D2

Description MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK
Description étendue N-Channel 500V 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)3N50D2
Produit représenté Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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종류
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de porte (Qg) à Vgs 40nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1070pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 1,5A, 0V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (IXTA)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

21:05:40 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,79000 2,79
10 2,49500 24,95
25 2,24600 56,15
100 2,04630 204,63
250 1,84664 461,66
500 1,65700 828,50
1 000 1,39747 1 397,47
2 500 1,32760 3 318,99
5 000 1,27769 6 388,43

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