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Référence Digi-Key IXTA3N120CT-ND
Quantité disponible 1 606
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXTA3N120TRL

Description MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IXT(A,P)3N120
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 Ohms à 1,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (IXTA)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IXTA3N120CT

20:02:41 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,12000 6,12
10 5,45700 54,57
25 4,91160 122,79
100 4,47480 447,48
250 4,03828 1 009,57

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
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