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Référence Digi-Key IXTA08N50D2-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IXTA08N50D2

Description MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
Description étendue N-Channel 500V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXT(Y,A,P)08N50D2
Produit représenté Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800 mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) -
Vgs(th) (max.) à Id -
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12,7 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 312 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max) 60 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,6 Ohms à 400 mA, 0 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (IXTA)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

15:22:46 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,84000 1,84
10 1,66500 16,65
25 1,48680 37,17
100 1,33810 133,81
250 1,18944 297,36
500 1,04076 520,38
1 000 0,86234 862,34
2 500 0,80287 2 007,18
5 000 0,77314 3 865,68

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