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Référence Digi-Key IXFX34N80-ND
Quantité disponible 235
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFX34N80

Description MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
Description étendue N-Channel 800V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(K,X)34N80
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 34 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 270 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7500 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 560 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 240 mOhms à 17 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PLUS247™-3
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

11:43:04 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 20,14000 20,14
10 18,31700 183,17
25 16,94360 423,59
100 15,56980 1 556,98
250 14,19600 3 549,00

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