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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFX34N80-ND
Quantité disponible 201
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFX34N80

Description MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
Description étendue N-Channel 800V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(K,X)34N80
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 34 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 270nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7500pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 560 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 240 mOhms à 17A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PLUS247™-3
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

05:25:34 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 19,51000 19,51
10 17,73700 177,37
25 16,40680 410,17
100 15,07650 1 507,65
250 13,74624 3 436,56
500 12,85940 6 429,70

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