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Référence Digi-Key IXFX180N25T-ND
Quantité disponible 303
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Fabricant

Référence fabricant

IXFX180N25T

Description MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
Description étendue N-Channel 250V 180A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(K,X)180N25T
Produit représenté GigaMOS™ Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série GigaMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 345 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 28000 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1390 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12,9 mOhms à 60 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PLUS247™-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

01:50:45 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 12,49000 12,49
10 11,35300 113,53
25 10,50120 262,53
100 9,64970 964,97
250 8,79824 2 199,56
500 8,23062 4 115,31
1 000 7,54946 7 549,46

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