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Référence Digi-Key IXFX120N65X2-ND
Quantité disponible 462
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFX120N65X2

Description MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Description étendue N-Channel 650V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(K,X)120N65X2
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 225 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15500 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 24 mOhms à 60 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PLUS247™-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

08:32:37 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 16,93000 16,93
10 15,38600 153,86
25 14,23160 355,79
100 13,07790 1 307,79
250 11,92392 2 980,98
500 11,15466 5 577,33

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