Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFX120N65X2-ND
Quantité disponible 199
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFX120N65X2

Description MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Description étendue N-Channel 650V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(K,X)120N65X2
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 225 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15500 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 24 mOhms à 60 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PLUS247™-3
Boîtier TO-247-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
  • IXFX120N30P3 - IXYS | IXFX120N30P3-ND DigiKey Electronics
  • IXFX120N30P3
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
  • Prix unitaire 12,17000
  • IXFX120N30P3-ND
  • IXFB150N65X2 - IXYS | IXFB150N65X2-ND DigiKey Electronics
  • IXFB150N65X2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
  • Prix unitaire 23,39000
  • IXFB150N65X2-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

12:48:58 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 17,96000 17,96
10 16,33500 163,35
25 15,11000 377,75
100 13,88470 1 388,47
250 12,65960 3 164,90

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires