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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFX120N65X2-ND
Quantité disponible 600
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFX120N65X2

Description MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(K,X)120N65X2
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 24 mOhms à 60A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 8mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 225nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 15500pF à 25V
Puissance max. 1250W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PLUS247™-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

12:05:19 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 17,10000 17,10
10 15,54200 155,42
25 14,37680 359,42
100 13,21090 1 321,09
250 12,04528 3 011,32
500 11,26816 5 634,08

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