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Référence Digi-Key IXFX120N20-ND
Quantité disponible 291
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFX120N20

Description MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Description étendue N-Channel 200V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(X,K)120N20
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9100pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 560W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 17 mOhms à 60A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PLUS247™-3
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms IFX120N20

01:10:35 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 16,72000 16,72
10 15,20300 152,03
25 14,06280 351,57
100 12,92270 1 292,27
250 11,78252 2 945,63
500 11,02234 5 511,17

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