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Référence Digi-Key IXFX120N20-ND
Quantité disponible 245
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFX120N20

Description MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Description étendue N-Channel 200V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(X,K)120N20
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9100 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 560 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 17 mOhms à 60 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PLUS247™-3
Boîtier TO-247-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms IFX120N20

23:48:10 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 17,28000 17,28
10 15,70100 157,01
25 14,52320 363,08
100 13,34550 1 334,55
250 12,16796 3 041,99

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