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Référence Digi-Key IXFT32N50Q-ND
Quantité disponible 5
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFT32N50Q

Description MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
Description étendue N-Channel 500V 32A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(H,T)30N50Q, 32N50Q
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 4 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 190 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4925 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 360 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 160 mOhms à 16 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-268
Boîtier TO-268-3, D³Pak (2 broches + languette), TO-268AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

16:17:36 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,52000 13,52
10 12,28600 122,86
25 11,36480 284,12
100 10,44320 1 044,32
250 9,52180 2 380,45
500 8,90748 4 453,74
1 000 8,17031 8 170,31

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