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Référence Digi-Key IXFQ50N60P3-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IXFQ50N60P3

Description MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Description étendue N-Channel 600V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFH-FT-FQ50N60P3
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, Polar3™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 4 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 94 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6300 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1040 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 145 mOhms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

14:19:05 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,94000 6,94
10 6,24500 62,45
25 5,68960 142,24
100 5,13440 513,44
250 4,71812 1 179,53
500 4,30180 2 150,90
1 000 3,74674 3 746,74

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