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Référence Digi-Key IXFQ50N60P3-ND
Quantité disponible 81
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFQ50N60P3

Description MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Description étendue N-Channel 600V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFH-FT-FQ50N60P3
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™, Polar3™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 4mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 94nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6300pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1040W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 145 mOhms à 500mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3P
Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
 
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  • Prix unitaire 7,10000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30

06:16:31 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,72000 6,72
10 6,04700 60,47
25 5,50920 137,73
100 4,97180 497,18
250 4,56864 1 142,16
500 4,16554 2 082,77
1 000 3,62804 3 628,04
2 500 3,49367 8 734,18

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