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Référence Digi-Key IXFP4N100Q-ND
Quantité disponible 213
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFP4N100Q

Description MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P)4N100Q
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 1,5 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1050 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 Ohms à 2 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

16:28:30 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,56000 5,56
10 4,97100 49,71
25 4,47400 111,85
100 4,07660 407,66
250 3,67888 919,72
500 3,30102 1 650,51
1 000 2,78400 2 784,00
2 500 2,64480 6 611,99

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