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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFP4N100Q-ND
Quantité disponible 227
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFP4N100Q

Description MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P)4N100Q
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 Ohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1,5mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 39nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1050pF à 25V
Puissance max. 150W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

02:20:49 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,62000 5,62
10 5,02200 50,22
25 4,51960 112,99
100 4,11800 411,80
250 3,71632 929,08
500 3,33462 1 667,31
1 000 2,81232 2 812,32
2 500 2,67171 6 679,27

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