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Référence Digi-Key IXFP4N100Q-ND
Quantité disponible 214
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFP4N100Q

Description MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P)4N100Q
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1,5mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 39nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1050pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 Ohms à 2A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

06:07:54 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,72000 5,72
10 5,11100 51,11
25 4,59960 114,99
100 4,19100 419,10
250 3,78212 945,53
500 3,39366 1 696,83
1 000 2,86212 2 862,12
2 500 2,71902 6 797,54

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