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Présentation des produits
Référence Digi-Key IXFP3N120-ND
Quantité disponible 896
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFP3N120

Description MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 4 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P)3N120
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 Ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1,5mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 39nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1050pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

11:43:04 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,15000 6,15
10 5,49400 54,94
25 4,94400 123,60
100 4,50470 450,47
250 4,06524 1 016,31
500 3,64772 1 823,86
1 000 3,07639 3 076,39
2 500 2,92257 7 306,43

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