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Référence Digi-Key IXFP3N120-ND
Quantité disponible 891
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFP3N120

Description MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 4 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXF(A,P)3N120
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 1,5mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 39nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1050pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 Ohms à 500mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

02:11:48 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,26000 6,26
10 5,59100 55,91
25 5,03160 125,79
100 4,58450 458,45
250 4,13724 1 034,31
500 3,71232 1 856,16
1 000 3,13087 3 130,87
2 500 2,97432 7 435,81

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