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Référence Digi-Key IXFN80N50P-ND
Quantité disponible 200
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN80N50P

Description MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
Description étendue N-Channel 500V 66A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques IXFN80N50P
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série PolarHV™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 66 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 8 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 195 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12700 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 700 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 65 mOhms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

19:39:12 3/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 24,01000 24,01
10 22,20700 222,07
25 20,40600 510,15
100 18,96540 1 896,54
250 17,40500 4 351,25
500 16,56474 8 282,37

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