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Référence Digi-Key IXFN80N50-ND
Quantité disponible 60
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IXFN80N50

Description MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Description étendue N-Channel 500V 80A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IXFN80N50
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Catégories
Fabricant

IXYS

Série HiPerFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 380nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9890pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 780 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 55 mOhms à 500mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Boîtier fournisseur SOT-227B
Boîtier SOT-227-4, miniBLOC
 
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  • Prix unitaire 23,25000
  • IXFN80N50P-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 10

11:42:21 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 42,80000 42,80
10 40,01700 400,17
25 37,01000 925,25
100 34,69680 3 469,68
250 32,38364 8 095,91

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